星空娱乐平台：三星造芯片又翻车！GaN代工试产就出问题

  三星电子的GaN（氮化镓）半导体代工项目在试出产阶段遇到费事，部分芯片在高温环境下无法正常作业，原定年内量产的方针或许推延。

  GaN是一种化合物半导体，大多数都用在电动车、机器人、数据中心等需求高压高温的场景，简单说，电动车充电、AI服务器供电，都或许用到这种芯片。

  三星在龙仁建立了8英寸GaN代工专线片晶圆，为芯片规划企业代工出产，但试出产的芯片在100-200C环境下露出约1000小时后，呈现停止作业的现象。

  业内人士指出，三星为到达芯片功能方针，对工艺进行了调整，但这或许会引起芯片寿数受必定的影响，GaN芯片需求2-3V的阈值电压，假如电压过低，在细小电流下就或许会呈现过错。

  这意味着三星现在的工艺出产的芯片可靠性缺乏，缺乏以满意实际使用需求，关于电动车、数据中心等使用场景来说，芯片在高温下失效是丧命的。

  三星原计划2025年投产GaN代工专线年末，此次质量上的问题或许会引起量产时刻再推延数月。

  现在英飞凌、ST、德州仪器、英诺赛科等厂商已出售GaN芯片1-2年，三星显着落后。

  部分芯片规划客户已开端考虑其他代工选项，包含格芯、力积电、X-FAB等。

  GaN半导体的掩模本钱比硅芯片低，客户切换代工厂的门槛不高，三星回应称，现在还在开发阶段，还不能将此界说为不良品。